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磁控濺射原理

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磁控濺射原理

發布日期:2014-11-12 15:41 來源:http://www.joannatse.com 點擊:

    在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),永久磁鐵在靶材料表麵形成250~350高 斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離 幾率增大,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶麵,以很高的速度轟擊靶麵,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以 較高的動能脫離靶麵飛向基片澱積成膜。磁控濺射一般分為二種:支流濺射和射頻濺射,其中支流濺射設備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使 用範圍更為廣泛,除可濺射導電材料外,也可濺射非導電的材料,同時還司進行反應濺射製備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高後就成為微 波等離子體濺射,目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射接合代工

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